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型号 IRF7759L2TR1PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
IRF7759L2TR1PBF PDF
代理商 IRF7759L2TR1PBF
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 375A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 毫欧 @ 96A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 12222pF @ 25V
功率 - 最大 3.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET? 等距 L8
供应商设备封装 DIRECTFET L8
包装 标准包装
产品目录页面 1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF7759L2TR1PBFDKR
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